香港科技園公司與麻省光子技術（香港）周二（30日）舉行發布會，麻省光子技術（ＭassPhoton）計劃在香港科學園設立本地首個第三代半導體氮化鎵（GaN）外延工藝全球研發中心，以及在創新園開設首條超高真空量產型氮化鎵外延片中試線，將在香港設立研發團隊，預計投資至少2億港元。
麻省光子技術希望，是次投資可帶動整個第三代半導體產業鏈布局，令本港微電子創科生態更為蓬勃，新型工業化發展可更紮實落地。
氮化鎵是新型半導體材料
翻查資料，第一代半導體材料主要是矽（Si）和鍺（Ge）；第二代半導體主要材料為砷化鎵（GsAs）及磷化銦（InP）；第三代半導體的主要材料則為碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）。
顧名思義，氮化鎵是氮和鎵的化合物，是一種穩定的寬能隙（bandgap）半導體材料。相比傳統的半導體材料矽（硅），氮化鎵能承受更高的電壓，擁有更好的導電能力，例如相同體積的充電器，採用氮化鎵技術的比普通類型輸出功率更高，設計更輕巧，充電效能卻比同樣大小的傳統充電器更強大、更快速和更安全，除可為智能手機充電，更可為平板電腦、手提電腦等電子產品充電。除了儲電產品外，氮化鎵的應用領域廣泛，包括照明、通訊、能源等許多行業。
孫東：因地制宜發展新質生產力
創新科技及工業局局長孫東教授在發布會上致辭時表示，香港要因地制宜發展新質生產力，必須發揮好香港的國際化優勢和雄厚的科研實力，支持優勢科技產業在港發展，而第三代半導體就是香港近年來重點發展的科技領域。
他讚揚落戶香江的麻省光子技術公司是全球氮化鎵外延工藝先驅企業。他指出，氮化鎵外延工藝是發展第三代半導體的關鍵技術，能優化產品性能，提升穩定性，為行業帶來革命性突破。
孫東教授說，這次麻省光子技術在港投資設立全港首個第三代半導體氮化鎵外延工藝全球研發中心，以及依托即將成立的微電子中心，準備投資超過港幣2億元建立首條高階量產型8吋車規級氮化鎵外延片中試線，將加速推動香港新型工業化，以及微電子生態圈的發展。
他又說，此次麻省光子技術落戶香港也助力香港壯大創科人才庫。麻省光子技術由氮化鎵外延技術專家廖翊韜博士創立，廖博士過去在相關領域取得超過40項國際專利，成就非凡；他帶領的團隊由世界各地的專家組成，除了為香港帶來全球領先的前沿技術之外，更能匯聚環球微電子專業人才，促進技術交流。這正好回應了中共二十屆三中全會提到支持香港打造國際高端人才集聚高地。
香港微電子研發院年內將成立
他強調，全球半導體產業正急速發展，規模預計在2030年可超過10000億美元，潛力無限。特區政府正以產業導向為原則，積極推進微電子產業發展。香港微電子研發院將於今年內成立，並將設立碳化矽和氮化鎵兩條中試線，協助初創、中小企業進行試產、測試和認證，促進產、學、研在第三代半導體核心技術上的合作。特區政府將繼續引入更多優秀的科技企業來港發展和投資，發揮協同效應，讓微電子及其他科技產業在香港做大做強。
廖翊韜：擬年產10000片8吋晶圓
麻省光子技術行政總裁廖翊韜博士致辭時表示，麻省光子技術由「海歸」半導體專家團隊創立，擁有長久的技術積累和量產經驗，採用中國獨有的超高真空第三代半導體外延技術，所製作出的氮化鎵半導體晶圓，廣泛用於醫療、消費電子、LED顯示、光伏能源、數據中心、電動車和超高壓電力輸送等領域。
他續稱，公司計劃入駐新建的香港科技園微電子中心（MEC），建設香港首條8吋氮化鎵外延片研發中試產線，並基於該公司外延片，聯合香港微電子專家開發下游氮化鎵半導體器件。
廖翊韜表示，通過新產品的中試研發和孵化，建立前沿、完整的超高真空氮化鎵外延技術和產品專利包，計劃3年內完成中試並啟動在香港的氮化鎵外延量產產線建設，實現年產10000片8吋氮化鎵晶圓產能，將香港製造的外延片產品推向全球市場。
在孫東教授、創新科技及工業局副局長張曼莉、廖翊韜博士、香港科技園公司行政總裁黃克強等人見證下，香港科技園公司署理首席企業發展總監及創科生態業務發展總監柯志成與麻省光子技術（香港）公司首席營銷官趙春雷簽署了協議。
黃克強表示，麻省光子技術決定落戶科學園及創新園，將其前沿技術及經驗帶來香港，將成為本港微電子產業及新型工業化發展歷程中的一個重要里程碑。
